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比传统半导体更复杂。大量的测量已经确定了该装置的许多电气特性，而且许多工作还仍在继续，定义对压敏电阻的操作。但是从用户的观点来看，器件结构不如与之相关的电气特性那么重要。

理解金属氧化物压敏电阻运行的关键在于了解氧化锌晶界附近发生的电子现象。早期的一些理论认为在晶界的绝缘第二相态产生了隧道效应，压敏电阻的运行可以较好的描述为半导体二极管的串并联。在这个模型中，晶界包含缺陷态，该缺陷态从n型半导体氧化锌颗粒中捕获自由电子，形成氧化锌晶界空间附近区域的电荷耗尽层。

下面为压敏电阻耗尽层的图示。曲线表示了每个边界的电容值的倒数的平方与每个边界施加电压的关系。载流子浓度N被确定为约2 x 10^17/cm^3。另外，耗尽层的宽度大约是1000埃单位(Angstrom units)，单节点研究也支持二极管模型。

正是这些耗尽层阻止了载流子的自由流动并表现出下面曲线所示漏电流区域的低压绝缘行为。漏电流是由25℃热激活的载流子自由流过较低的势垒（应该是正向电流）产生的。关于突变PN节二极管

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TR ELECTRONIC IH58A P.N. 242-00078 MINI MOTOR

COGNEX 4400 BLADE VM13C+ VM13B VME-4438-1MX

ALVARION SU-RA-3.5a1-1.75M/2M AN1905 2.4-2.7 GHz

ALVARION BREEZEACCESS AU-RE-HP-2.4 824713

ALVARION DS11D-RB-Universal 812578

ALVARION BreezeACCESS AU-RE-OF-HP-3.5b 635319

ALVARION DS11D-RB-ESTI 812506

ALVARION TS-RFU V/H BAND AS2276 300167

MICRO DESIGN SYSTEMS MPB2-TP 97-003-01/4

ELECTRON POWER SUPPLY EGPS-1108C-DUAL

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ALVARION SU UNIT 5.7 GHZ AN1248 revision B

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NIKON ALG-ACE2 4S019-160 

ALVARION ODU-TS 28 GHz BAND ESTI-D AS2355

NIKON ALG-NAL 4S008-043

IDE ACTIVE ISOLATION SYSTEM 400089-04

NIKON AVDRVX4B 4S019-156 

NIKON 4S019-153 WSDRVX4B 

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EPSON T603B MAGENTA T603B PRO 7800 / 9800 06.2010

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