A16B-1211-0301

A16B-1211-0301 在设计系统时，需要考虑五个关键点：

使用碳化硅（SiC）技术可实现的高功率密度。虽然碳化硅（SiC）支持在更高温度下运行，但高功率密度需要采用先进的散热技术。

开关速度快会令系统更容易出现杂散电感引起的过冲和振铃；因此，需要降低母线结构的杂散电感。

针对这一问题，还需要采用低电感、高纹波额定电容，同时注意缩小尺寸。

栅极驱动器电路具备足够的驱动强度，以维持碳化硅（SiC）技术要求且支持的开关速度。

整体功率密度应明显较高，从而满足终端应用的要求。

功率模块平台：XM3

基于 Wolfspeed XM3

1756IF6CIS

1756IF6I

1756IF8

1756IF8H

1756IG16

1756IH16I

1756IH16ISOE

1756IM16I

1756IN16

1756IR6I

1756IT6I

1756IT6I2

1756IV16

1756IV32

1756JMPR

1756L55

1756L55M12

1756L55M13

1756L55M14

1756L55M16

全碳化硅（SiC）平台的功率模块具有出色的功率密度，显然是不二之选。它的重量和体积大约是标准 62 mm 模块的一半，与 EconoDUAL 相比，差距更加显著（图 2）。

XM3 平台采用重叠的平面结构设计，以便实现低杂散电感。模块内的电流回路既宽且薄，在器件间均匀分布，从而在开关位置产生等效阻抗。模块的电源端子也能垂直偏移，使得直流链路电容和模块之间的简单母线设计能够一直层压到模块上。终结果是，在 10 MHz 时，电源回路的杂散电感仅为 6.7 nH。

该模块的杂散电感仅为行业标准模块的一半，体积则不到一半，为 53 × 80 mm 规格。XM3 平台为不同的目标应用提供开关优化型和传导优化型产品，例如该系统使用的 CAB450M12XM3 1,200 V、450 A 半桥模块。

XM3 特性包括：低边开关位置的集成式温度传感器；便于驱动器集成的内置电压感应（de-sat）连接；以及增强功率循环能力的高可靠性氮化硅（Si3N4）电源基板。

逆变器系统的性能可通过以下几项技术得到进一步提升，从而提高散热效率，减少寄生电感，降低组件数量和尺寸。

A16B-1211-0301 

A16B-1211-0301