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GE模块IC693BEM321
- 更新时间：2024-11-10
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IC693BEM321
电流额定值的选择：
确定过载能力
k√2 Io≤Ic
式中，k为电流的过载倍数，Io为变频器的额定输出电流，Ic为IGBT标称电流值(连续DC)。
确定抗电流冲击能力
m√2Io≤Ic（1ms）
式中，m为硬件电流保护倍数，Io为变频器额定输出电 流，Ic(1ms)为1ms标称电流。
一般而言，模块的选取主要根据是温升，只要温升能够满足要求，载流能力可以适当放宽。
IGBT的并联
由于单只IGBT模块电流容量有限，为了提高载流能力需要对IGBT并联。 由于IGBT具有正的温度系数，温度升高时导通压降会增大，因此本身具有自动均流的特性，并联使用一般不会导致严重的均流问题。
IC693BEM321
MCF40A0015-5A3-4-00
MCF40A0022-5A3-4-00
MCF40A0030-5A3-4-00
MCF40A0040-5A3-4-00
MCF40A0055-5A3-4-00
MCF40A0075-5A3-4-00
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