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IC693MDL733 模块
IC693MDL733
栅极驱动电压范围
转换器的工作电压取决于开关元件(如 Si MOSFET 或 SiC MOSFET)的规格。确认,转换器输出电压不超过开关元件栅极电压的大值。
栅极驱动器的正电压应足够高,以确保门栅极完全导通。还需要确保驱动电压不超过大栅极电压。Si-MOSFET通常使用+12V的驱动电压,+15V通常用于驱动SiC,GaN的栅极电压为+5V。0-V 的栅极电压可以使所有器件处于关断状态。 一般而言,MOSFET 不需要负偏置栅极驱动,SiC和GaN MOSFET有时会使用这种栅极驱动 。在开关应用中,强烈建议对 SiC 和 GaN MOSFET 使用负偏压栅极驱动,因为在高di/dt和dv/dt开关期间,非理想 PCB 布局引入的寄生电感可能会导致功率晶体管的栅源驱动电压发生振铃。以下是每种开关器件的适用栅极驱动电压。
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