西门子6SE6440-2UC21-5BA1

6SE6440-2UC21-5BA1

由于使用了晶体管（在该示例中为MOSFET）来切换H桥，因此作为现实问题，需要将晶体管的导通电阻作为每条路径中的损耗加以考虑。该思路也同样适用于后续的电流再生方法。

除了（b）以外，还有三种电流再生方法。（c）是在施加电压的状态下的只断开Q1（Q2和Q3保持关断，而Q4保持导通）的方法。 
在这种情况下，再生电流经由关断中的Q2的寄生（体）二极管流动，与（b）中相同。此时，路径中不仅包括导通电阻，还包括寄生二极管的正向电压VF。因此，电流会迅速衰减。另外，施加到电机的等效平均电压会损耗VF的量，因此会小于占空比相应的电压。