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2025年04月18日 星期五

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  • 更新时间:2025-04-18
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MVI56-EGD

光耦的大缺点之一是:LED老化,会使传输特性漂移;设计人员考虑这一额外问题。LED老化导致时序性能随着时间和温度而漂移。因此,信号传输和上升/下降时间会受影响,使设计复杂化,尤其是考虑到本文后面要处理的问题。

光耦的性能扩展也是受限的。为了提高数据速率,克服光耦固有的寄生电容问题,该问题会导致功耗升高。寄生电容还会提供耦合机制,导致基于光耦的隔离器件的CMTI(共模瞬变抗扰度)性能劣于竞争方案。

磁隔离器(基于变压器)已大规模应用十多年,是光耦合器的有效替代方案。这类隔离器基于标准CMOS技术,采用磁传输原理,隔离层由聚酰亚胺或二氧化硅构成,如图2所示。低电平电流以脉冲方式通过线圈传输,产生一个磁场,磁场穿过隔离栅,在隔离栅另一侧的第二线圈中感生一个电流。由于采用标准CMOS结构,其在功耗和速度方面具有明显优势,而且不存在光耦合器相关的寿命偏差问题。此外,基于变压器的隔离器的CMTI性能优于基于光耦合器的隔离器。


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5-159-0514 GT-5 51590514 GT5 850 Power Supply 50886


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