DRS112M2 /FF IEC

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运动控制电子元件可分为三个特定的IC工艺要求。由于航天器中的电机可以在高达150V的电压轨下工作，因此需要能够承受这些更高电压的过程。

• 由于MOSFET驱动器通常需要高电流，因此DMOS工艺是有效的。

• 对于Σ-Δ调制器的信号处理和逻辑，需要具有更高密度和更大带宽的更低电压过程。

• 对于数字配套IC，需要非常小的几何CMOS工艺。

采用非专门设计用于辐射暴露的商业工艺的工艺需要开发特殊的工艺设计套件（PDK）模型，该模型将辐射暴露的影响考虑在内。这涉及将设备暴露在辐射中并对其行为进行建模。当电路设计人员使用这些PDK模型设计电路时，会考虑预期的辐射效应，并有助于使终的电路拓扑通过设计进行辐射强化。

函数分区和包设计

在该系统中的三个不同IC之间划分的功能的一个示例是浮动电流检测。浮动电流检测利用高压 IC 的宽动态范围与电流检测电阻接口。在高压过程中实现了一个初始增益级，该级将其输出馈送到在5V过程中实现的仪表放大器。5V IC与数字IC共享相同的信号地。一旦电平从浮动高压转换到以地为参考的信号地，就会使用BiCMOS工艺中实现的二阶Σ-Δ调制器对模拟信号进行采样。由于具有较小几何形状的属性，低压工艺可以在更小的空间和更高的带宽下实现功能。调制器的输出是与数字IC电压兼容的数据流。数据流在模拟前端（AFE）和数字IC之间路由时仅消耗一个封装引脚。

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